Ethylsilicate (TEOS) ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးနည်းပညာတွင် အသုံးပြုသည့် ကုန်ကြမ်းအဖြစ် အသုံးပြု၍ ဖိအားနည်းသော ဓာတုအငွေ့များ စုဆောင်းခြင်း (LPCVD) အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပြီး SiC wafers deposits အတွင်းရှိ ဆီလီကာ၏ မျက်နှာပြင်သည် အောက်ဆိုဒ်အလတ်စား၏ သိပ်သည်းဆကို သေချာစေရန်နှင့် SiC wafers များ၏ ကပ်ငြိနိုင်စွမ်း၊ ကိရိယာ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အထွက်နှုန်းကိုတိုးတက်စေသည်နှင့်အချိန်ကြာမြင့်စွာအပူချိန်မြင့်မားသောဓာတ်တိုးခြင်း၏ချို့ယွင်းချက်အချို့၏အထူအောက်ဆိုဒ်အလွှာကိုရရှိရန်ရှောင်ရှားပါ။
TEOS ကို ပုံမှန်အပူချိန်နှင့် ဖိအားတွင် ဆီလီကွန် tetrachloride နှင့် Ethanol ၏ esterification ဖြင့် ရရှိသည်။
စုပ်ယူမှု၊ ပေါင်းခံခြင်းနှင့် စစ်ထုတ်ခြင်းတို့ဖြင့် စွန်းထင်းနေသော TEOS။ Jinhong အဓိက တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကုမ္ပဏီများနှင့် မဟာဗျူဟာမြောက် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုသို့ ရောက်ရှိခဲ့ပြီး နှစ်စဉ် အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် TEOS တန်ချိန် 1,200 ကျော်ကို ပံ့ပိုးပေးလျက်ရှိသည်။
ကုန်ပစ္စည်း | TEOS |
CAS အမှတ် | 78-10-4 |
သန့်ရှင်းစင်ကြယ် | ≥99.9% |
TEOS သည် SiC wafers deposits အတွင်းရှိ ဆီလီကာများ၏ မျက်နှာပြင်ရှိ ဖိအားနည်း ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (LPCVD) အတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။
မူပိုင်ခွင့် © Jinhong Gas Co., Ltd. All Rights Reserved. - ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ|သေဘာတူညီခ်က္မ်ား|ဘလော့ခ်